シリコンキャパシタ(シリコンコンデンサ)UWSCシリーズ

26GHz+対応 ワイヤボンディング用上下電極シリコンキャパシタ

UWSCシリーズは光通信システム(ROSA/TOSAやSONET、その他光エレクトロニクス全般)に加え高速データシステムや製品をターゲットとして、DCデカップリングとバイパス用途向けに設計されたものです。ムラタの半導体(シリコン)技術による、独自の集積受動部品/デバイス(Integrated Passive Devices)により、26GHzを超える周波数において優れたノイズ除去性能を実現しています。UWSCシリーズはディープトレンチとMOS半導体プロセスを用いて製造されており、低容量と高容量両方の要求に対応し、高い信頼性と温度と電圧に対する静電容量の安定性を提供します。(0.02%/V, 60 ppm/K)また、-55℃~150℃と広い動作温度範囲を実現しています。900℃を超える高温アニールにより得られる高純度の酸化膜による完全に制御された製造ラインが、高い信頼性と再現性を生み出します。これらのキャパシタは標準のワイヤボンディング実装(ボールおよびウェッジ)に対応しています。また、これらはRoHS対応品で、厚膜の金電極もご用意できます。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

特徴

  • 26GHzを超える超広帯域性能
  • 共振が無く、位相が安定
  • 0101で1nFの静電容量値
  • 温度、電圧、エージングに対し高い静電容量値の安定性
  • 超低ESRとESL、高い信頼性
  • 標準ワイヤボンディング実装(ボールおよびウェッジ)に対応

(詳細は当社の実装アプリケーションノートを参照ください)

用途

  • 光エレクトロニクス/高速データ
  • トランスインピーダンスアンプ(TIA)
  • 送受信光サブアッセンブリ(ROSA/TOSA)
  • 同期光ネットワーク(SONET)
  • 高速デジタルロジック
  • 広帯域試験装置
  • 広帯域マイクロ波/ミリ波
  • X7RおよびNP0キャパシタの置き換え
  • 低背用途(ご要望により250μm、100μmも可能)

UWSCシリーズ仕様

パラメータ
静電容量範囲 47pF~22nF(*)
静電容量許容差 ±15%(*)
実装方法 ワイヤボンディング(上下電極)
動作温度範囲 -55°C~150°C
保管温度範囲 -70℃~165℃(*2)
温度係数 +60ppm/K
ブレークダウン電圧(BV) 11VDC、30VDC、50VDC、150VDC(*)
RVDCに対する静電容量変動 0.02%/V (0V~RVDC)
等価直列インダクタ(ESL) 代表値6pH(*4) @ SRF
等価直列抵抗(ESR) 代表値14mΩ(*4)
絶縁抵抗 100nFの商品の場合
100GΩ(25℃でRVDC印加し120秒後)
エージング 微小、< 0.001% / 1000h
信頼性 FIT<0.017個 / 10億時間
キャパシタ厚さ 250µm、100µm(*)
  • (*) ご要望に応じて他の仕様値も対応可能
  • (*2)梱包材を除く
  • (*4)例:10nF/0303/BV 50V

UWSCシリーズ

PDFカタログ

シリコンキャパシタに関連したPDF資料は下記のリンクからダウンロード可能です。

Commercial leaflet UWSC V1.4_Murata (PDF: 1.2 MB)

UPDATE
2020/02/24

Assembly Note UWSC V1.7_Murata (PDF: 0.7 MB)

UPDATE
2018/02/02