ムラタ＊の半導体（シリコン）技術による、独自の集積受動部品／デバイス（Integrated Passive Devices）により、このような高信頼性が要求される用途での様々な問題を解決できます。このワイヤボンディングや埋め込み対応の薄型シリコンキャパシタは100μm（ご要望により80μmまで対応可能）の厚さで、最高のデカップリング特性を求めている設計者にとって埋め込み用途に最適のソリューションです。
EMSCはラミネート基板パッケージ、リジッド／フレキシブルPCB、FR4、セラミック、ガラス、リードフレームまたはホイルのプラットフォームに最適化されています。シリコンキャパシタテクノロジーは、キャパシタ集積機能（最高250nF / mm2）を提供、現有のソリューションに比べ小型化が可能です。ムラタのテクノロジーは、タンタルやMLCCなどの代替となるキャパシタテクノロジーと比較して最大で10倍の信頼性を特徴としており、クラッキング現象が発生しません。半導体（シリコン）技術は、全動作電圧および温度範囲で極めて安定な静電容量値と、高い絶縁抵抗を安定に維持します。このシリコンをベースとする技術はRoHSに対応しており、鉛フリーのリフロー実装が可能です。
＊Murata Integrated Passive Solutions S.A.（旧IPDiA）