パワーセミコンダクタ

ムラタのパワー半導体は独自の実質上無損失のチャージポンプ技術により、革新的な電力変換を実現します。
独自のパワーアーキテクチャによりパワーレール全体で小型インダクタや低耐圧FETが使用でき、システムレベルにおいて以下のメリットを提供します。

  • 小型かつ低背で高効率
  • 低入力/出力リップル
  • 低EMI特性
  • 高信頼性
  • 実質上無損失のチャージポンプ技術 : ソフトスイッチング回路によって、充電時の突入電流による損失を低減する回路技術。

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