シリコンキャパシタ(シリコンコンデンサ)HSSCシリーズ

高安定性・高信頼性シリコンキャパシタ

ムラタ*の半導体(シリコン)技術による、独自の集積受動部品/デバイス(Integrated Passive Devices)により、このような高信頼性が要求される用途での様々な問題を解決できます。高安定シリコンキャパシタは安定性を重視する用途に合わせて作られたものです。HSSCシリーズは、繊細な静電容量回路の静電容量値を大きく設定する必要性を回避し、高いDC電圧安定性を提供します。このテクノロジーは、電圧と温度の動作範囲全体にわたる静電容量の安定性で業界をリードする性能を提供します。シリコンキャパシタの絶縁抵抗は大変高くかつ安定しているため、モバイル用途においてバッテリ寿命を最大30%向上可能です。
ムラタの半導体(シリコン)技術はキャパシタの集積機能(最大250nF/mm2)を特徴とし、従来のソリューションよりもケースサイズの小型化が可能なため、体積に対する厳しい制限要求にも応えます。このテクノロジーは、タンタルやMLCCなど代替となるキャパシタテクノロジーと比較して最大で10倍の信頼性を特徴としており、クラッキング現象が発生しません。このシリコンをベースとする技術はRoHSに対応しており、鉛フリーのリフロー実装が可能です。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

各製品の実装ガイドはこちら

特徴

  • 超高安定性(温度、電圧、エージング)
  • 低リーク電流(高絶縁抵抗)
  • 極めて低いESRとESL
  • 温度変動による静電容量変化はわずか。
  • 薄型
  • 鉛フリーのリフロー実装に最適

(詳細は当社の実装ガイドを参照ください)

用途

  • 医療、航空宇宙、自動車産業など、要望の厳しい用途
  • 高安定性用途
  • デカップリング/フィルタリング/電荷ポンピング(ペースメーカー、除細動器)
  • バッテリを使用する機器
  • X7RおよびNP0の置き換え
  • 小型化

HSSCシリーズ仕様

パラメータ
静電容量範囲 47pF~3.3µF(*)
静電容量許容差 ±15%(*)
実装方法 はんだ実装(*3)
動作温度範囲 -55°C~150°C
保管温度範囲 -70°C~165°C(*2)
温度係数 +60ppm/K
ブレークダウン電圧 (BV) 11VDC(*4)
RVDCに対する静電容量変動 0.1%/V (0~RVDC)
絶縁抵抗 100nFの商品の場合
100GΩ(25℃で3V印加し120秒後)
エージング 微小、< 0.001% / 1000h
キャパシタ高さ 400µm
  • (*) ご要望に応じて他の仕様値も対応可能
  • (*2)梱包材を除く
  • (*3)各製品の実装方法につきましては実装ガイドをご確認ください。
  • (*4)ブレークダウン電圧と定格電圧の関係についてはこちらのFAQをご確認ください。

HSSCシリーズ

耐電圧と定格電圧の関係についてはこちらのFAQをご確認ください。
品名の読み方についてはこちらのFAQをご確認ください。

実装ガイド

Assembly Note Silicon Capacitor_Assembly by reflow (PDF: 1.1 MB)

UPDATE
2021/07/08