UESLシリーズ

85μm対応 超低ESLシリコンキャパシタ

UESLシリーズは、高速用途でのパワーインテグリティ、シグナルインテグリティをターゲットとして作られました。超低ESL(等価直列インダクタンス)と優れた高周波特性により、電源のデカップリングや高速デジタルICのバイパス用途に最適です。また、超薄型(85μm以下)を特徴とするUESLシリーズ は、高さ制限の厳しい先進の組み立て技術(プロセッサパッケージ、BGAのランド側、埋め込みパッケージングなど)を可能にします。ムラタの半導体(シリコン)技術による、独自の集積受動部品/デバイス(Integrated Passive Devices)により、DC電圧と温度に対して高い安定性を実現しているため、UESLキャパシタはディレーティングの考慮の必要がありません 。

例えば:
-UESL 0404 450nFの実効静電容量はX5R MLCCの1μFと同等です。
-UESL 0402M 180nFの実効静電容量はX5R MLCCの400μFと同等です。

* Murata Integrated Passive Solutions S.A.(旧IPDiA)

Murata Icon X 特徴

  • 85μmの超薄型
  • 極めて低いESRとESL
  • 高い安定性
  • 低リーク電流
  • 鉛フリーのNiAu仕上げで、自動はんだ技術のリフローや手作業も可能。ご要望により他の電極もご提供可能。
(詳細は当社の実装アプリケーションノートを参照ください)

Murata Icon X 用途

  • 高速IC向けのパワーインテグリティ
  • 電源ノイズ抑制
  • 電源分配ネットワークでのデカップリング
  • 埋め込み電圧レギュレータのバイパス
  • 高速インターフェイス のシグナルインテグリティ
  • 高周波数ノイズの抑制
  • スマートフォンのアプリケーションプロセッサ用、電源ラインのデカップリング
  • 超低背が要求される全ての用途

Murata Icon X UESLシリーズ仕様

パラメータ
静電容量範囲 50nF~450nF(*)
静電容量許容差 ±15%(*)
動作温度範囲 -55~125℃
保管温度範囲 -70~140℃(*2)
温度係数 +60 ppm/K
ブレークダウン電圧(BV) 4.5VDC
RVDCに対する静電容量変動 0.1% / V (0~RVDC)
等価直列インダクタ(ESL) 代表値15pH
等価直列抵抗(ESR) 代表値30mΩ~120mΩ (*3)
絶縁抵抗 100nFの商品の場合
100GΩ(25℃で3V印加し120秒後)
エージング 微小、< 0.001% / 1000h
キャパシタ厚さ 85µm
(*) ご要望に応じて他の仕様値も対応可能 (*2) 梱包材を除く
(*3) 値は製品により異なります

Murata Icon X PDFカタログ

シリコンキャパシタに関連したPDF資料は下記のリンクからダウンロード可能です。

Commercial leaflet UESL V1.0_Murata (PDF: 0.8 MB)

  • UPDATE 2018/01/20
PDFダウンロード

Assembly Note UESL V1.3_Murata (PDF: 0.6 MB)

  • UPDATE 2018/03/02
PDFダウンロード